YZ48G08V-F9HPI-M vs K4A8G085WC-BIWE Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von YZ48G08V-F9HPI-M von Loongtion und K4A8G085WC-BIWE von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | YZ48G08V-F9HPI-M | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| Marke | Loongtion | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $7,20 | $6,29 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Speicherorganisation | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Datenrate | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | — |
| Betriebstemperaturbereich | -40°C to +85°C | -40°C to +95°C |
| Package Type | FBGA78 | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Schnittstelle | Parallel | POD-12 |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 22 (CL22) |
| Row Cycle Time (tRC) | [DATA_NEEDED: tRC] | — |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | [DATA_NEEDED: tRFC] | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| REACH Status | Compliant | — |
| AEC-Q100 | Not Applicable | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Gehäuse | — | 78-FBGA |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |