YZ48G08V-F9HPI-M vs K4A8G085WC-BIWE 比較
詳細な並列比較: YZ48G08V-F9HPI-M メーカー: Loongtion および K4A8G085WC-BIWE メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | YZ48G08V-F9HPI-M | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| ブランド | Loongtion | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $7.20 | $6.29 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| メモリ構成 | 1G x 8 | 1G x 8 |
| データレート | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| 電源電圧 | 1.2 V | — |
| 動作温度範囲 | -40°C to +85°C | -40°C to +95°C |
| Package Type | FBGA78 | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| インターフェース | Parallel | POD-12 |
| CASレイテンシ | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 22 (CL22) |
| Row Cycle Time (tRC) | [DATA_NEEDED: tRC] | — |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | [DATA_NEEDED: tRFC] | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| REACH Status | Compliant | — |
| AEC-Q100 | Not Applicable | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| パッケージ | — | 78-FBGA |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |