YZ48G08V-F9HPI-M vs K4A8G085WC-BIWE Comparación
Comparación detallada lado a lado de YZ48G08V-F9HPI-M por Loongtion y K4A8G085WC-BIWE por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | YZ48G08V-F9HPI-M | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| Marca | Loongtion | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $7,20 | $6,29 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organización de memoria | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Velocidad de datos | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -40°C to +85°C | -40°C to +95°C |
| Package Type | FBGA78 | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Interfaz | Parallel | POD-12 |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 22 (CL22) |
| Row Cycle Time (tRC) | [DATA_NEEDED: tRC] | — |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | [DATA_NEEDED: tRFC] | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| REACH Status | Compliant | — |
| AEC-Q100 | Not Applicable | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Encapsulado | — | 78-FBGA |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |