YZ48G08V-F9HPI-M vs K4A8G085WC-BIWE Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de YZ48G08V-F9HPI-M par Loongtion et K4A8G085WC-BIWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | YZ48G08V-F9HPI-M | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| Marque | Loongtion | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $7,20 | $6,29 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Débit de données | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Plage de température de fonctionnement | -40°C to +85°C | -40°C to +95°C |
| Package Type | FBGA78 | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | Parallel | POD-12 |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 22 (CL22) |
| Row Cycle Time (tRC) | [DATA_NEEDED: tRC] | — |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | [DATA_NEEDED: tRFC] | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| REACH Status | Compliant | — |
| AEC-Q100 | Not Applicable | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Boîtier | — | 78-FBGA |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |