YZ48G08V-F9HPI-M vs K4A8G085WC-BIWE Сравнение
Подробное сравнение бок о бок YZ48G08V-F9HPI-M от Loongtion и K4A8G085WC-BIWE от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | YZ48G08V-F9HPI-M | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| Бренд | Loongtion | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $7,20 | $6,29 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Организация памяти | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Скорость передачи данных | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| Напряжение питания | 1.2 V | — |
| Диапазон рабочих температур | -40°C to +85°C | -40°C to +95°C |
| Package Type | FBGA78 | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Интерфейс | Parallel | POD-12 |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 22 (CL22) |
| Row Cycle Time (tRC) | [DATA_NEEDED: tRC] | — |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | [DATA_NEEDED: tRFC] | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| REACH Status | Compliant | — |
| AEC-Q100 | Not Applicable | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Корпус | — | 78-FBGA |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |