YZ48G08V-F9HPI-M vs K4A8G085WC-BIWE Comparação
Comparação detalhada lado a lado de YZ48G08V-F9HPI-M por Loongtion e K4A8G085WC-BIWE por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | YZ48G08V-F9HPI-M | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| Marca | Loongtion | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $7,20 | $6,29 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organização da memória | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Taxa de dados | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | — |
| Faixa de temperatura de operação | -40°C to +85°C | -40°C to +95°C |
| Package Type | FBGA78 | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | Parallel | POD-12 |
| Latência CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 22 (CL22) |
| Row Cycle Time (tRC) | [DATA_NEEDED: tRC] | — |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | [DATA_NEEDED: tRFC] | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| REACH Status | Compliant | — |
| AEC-Q100 | Not Applicable | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Encapsulamento | — | 78-FBGA |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |