1EDN8511BXUSA1 vs 1EDN7511B Comparación

Comparación detallada lado a lado de 1EDN8511BXUSA1 por Infineon y 1EDN7511B por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 1EDN8511BXUSA1 1EDN7511B
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,54 $0,38
Channel Count 1 —
Driver Configuration Low-side —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 8 A 8 A
Input Stage Inverting and non-inverting —
Propagation Delay Accuracy [DATA_NEEDED: typical propagation delay] —
UVLO Threshold 8 V —
Driver Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range upper limit] —
Temperatura de unión de funcionamiento -40 °C to +150 °C —
Encapsulado PG-SOT23-6-2 SOT-23-6 (PG-SOT23-6-2)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 6 —
Logic Input Compatibility TTL / CMOS —
Target Switch Type Power MOSFET, GaN HEMT —
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Driver Type — Single-channel low-side gate driver
Number of Channels — 1
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V
UVLO Threshold (logic-level variant) — 1.9 V to 2.3 V
UVLO Threshold (normal-level variant) — 800 mV to 1.2 V (typ)
Propagation Delay — 4.5 ns (typ)
Rise Time (typ) — 19 ns
Fall Time (typ) — 19 ns
Output On-Resistance (pull-up) — 0.85 ohm
Output On-Resistance (pull-down) — 0.35 ohm
Input Logic — Inverting + Non-inverting
Temperatura de funcionamiento — -40 C to +150 C
Supported Switches — MOSFET (OptiMOS, CoolMOS), GaN HEMT

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización