1EDN8511BXUSA1 vs 1EDN7511B 비교

다음의 상세 나란히 비교: 1EDN8511BXUSA1 제조: Infineon 및 1EDN7511B 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 1EDN8511BXUSA1 1EDN7511B
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.54 $0.38
Channel Count 1 —
Driver Configuration Low-side —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 8 A 8 A
Input Stage Inverting and non-inverting —
Propagation Delay Accuracy [DATA_NEEDED: typical propagation delay] —
UVLO Threshold 8 V —
Driver Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range upper limit] —
동작 접합 온도 -40 °C to +150 °C —
패키지 PG-SOT23-6-2 SOT-23-6 (PG-SOT23-6-2)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 6 —
Logic Input Compatibility TTL / CMOS —
Target Switch Type Power MOSFET, GaN HEMT —
RoHS 상태 Compliant Compliant
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Driver Type — Single-channel low-side gate driver
Number of Channels — 1
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V
UVLO Threshold (logic-level variant) — 1.9 V to 2.3 V
UVLO Threshold (normal-level variant) — 800 mV to 1.2 V (typ)
Propagation Delay — 4.5 ns (typ)
Rise Time (typ) — 19 ns
Fall Time (typ) — 19 ns
Output On-Resistance (pull-up) — 0.85 ohm
Output On-Resistance (pull-down) — 0.35 ohm
Input Logic — Inverting + Non-inverting
동작 온도 — -40 C to +150 C
Supported Switches — MOSFET (OptiMOS, CoolMOS), GaN HEMT

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