1EDN8511BXUSA1 vs 1EDN7511B 比較

詳細な並列比較: 1EDN8511BXUSA1 メーカー: Infineon および 1EDN7511B メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
1EDN8511BXUSA1 1EDN8511BXUSA1 - 1-Ch 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN8511BXUSA1 - 1-Ch 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN8511BXUSA1 ✓ 生産中
Infineon
1EDN7511B 1EDN7511B - 4A/8A Low-Side Gate Driver IC | Infineon

1EDN7511B - 4A/8A Low-Side Gate Driver IC | Infineon

1EDN7511B ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 1EDN8511BXUSA1 1EDN7511B
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.54 $0.38
Channel Count 1 —
Driver Configuration Low-side —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 8 A 8 A
Input Stage Inverting and non-inverting —
Propagation Delay Accuracy [DATA_NEEDED: typical propagation delay] —
UVLO Threshold 8 V —
Driver Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range upper limit] —
動作接合温度 -40 °C to +150 °C —
パッケージ PG-SOT23-6-2 SOT-23-6 (PG-SOT23-6-2)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 6 —
Logic Input Compatibility TTL / CMOS —
Target Switch Type Power MOSFET, GaN HEMT —
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Driver Type — Single-channel low-side gate driver
Number of Channels — 1
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V
UVLO Threshold (logic-level variant) — 1.9 V to 2.3 V
UVLO Threshold (normal-level variant) — 800 mV to 1.2 V (typ)
Propagation Delay — 4.5 ns (typ)
Rise Time (typ) — 19 ns
Fall Time (typ) — 19 ns
Output On-Resistance (pull-up) — 0.85 ohm
Output On-Resistance (pull-down) — 0.35 ohm
Input Logic — Inverting + Non-inverting
動作温度 — -40 C to +150 C
Supported Switches — MOSFET (OptiMOS, CoolMOS), GaN HEMT

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼