1EDN8511BXUSA1 vs 1EDN7511B Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de 1EDN8511BXUSA1 par Infineon et 1EDN7511B par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | 1EDN8511BXUSA1 | 1EDN7511B |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,54 | $0,38 |
| Channel Count | 1 | — |
| Driver Configuration | Low-side | — |
| Peak Source Current | 4 A | 4 A |
| Peak Sink Current | 8 A | 8 A |
| Input Stage | Inverting and non-inverting | — |
| Propagation Delay Accuracy | [DATA_NEEDED: typical propagation delay] | — |
| UVLO Threshold | 8 V | — |
| Driver Supply Voltage (VCC) | [DATA_NEEDED: VCC range upper limit] | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -40 °C to +150 °C | — |
| Boîtier | PG-SOT23-6-2 | SOT-23-6 (PG-SOT23-6-2) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 6 | — |
| Logic Input Compatibility | TTL / CMOS | — |
| Target Switch Type | Power MOSFET, GaN HEMT | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Driver Type | — | Single-channel low-side gate driver |
| Number of Channels | — | 1 |
| Supply Voltage (VCC) | — | 4.5 V to 20 V |
| UVLO Threshold (logic-level variant) | — | 1.9 V to 2.3 V |
| UVLO Threshold (normal-level variant) | — | 800 mV to 1.2 V (typ) |
| Propagation Delay | — | 4.5 ns (typ) |
| Rise Time (typ) | — | 19 ns |
| Fall Time (typ) | — | 19 ns |
| Output On-Resistance (pull-up) | — | 0.85 ohm |
| Output On-Resistance (pull-down) | — | 0.35 ohm |
| Input Logic | — | Inverting + Non-inverting |
| Température de fonctionnement | — | -40 C to +150 C |
| Supported Switches | — | MOSFET (OptiMOS, CoolMOS), GaN HEMT |