1EDN8511BXUSA1 vs 1EDN7511B Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 1EDN8511BXUSA1 por Infineon e 1EDN7511B por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 1EDN8511BXUSA1 1EDN7511B
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,54 $0,38
Channel Count 1 —
Driver Configuration Low-side —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 8 A 8 A
Input Stage Inverting and non-inverting —
Propagation Delay Accuracy [DATA_NEEDED: typical propagation delay] —
UVLO Threshold 8 V —
Driver Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range upper limit] —
Temperatura de junção de operação -40 °C to +150 °C —
Encapsulamento PG-SOT23-6-2 SOT-23-6 (PG-SOT23-6-2)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 6 —
Logic Input Compatibility TTL / CMOS —
Target Switch Type Power MOSFET, GaN HEMT —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Driver Type — Single-channel low-side gate driver
Number of Channels — 1
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V
UVLO Threshold (logic-level variant) — 1.9 V to 2.3 V
UVLO Threshold (normal-level variant) — 800 mV to 1.2 V (typ)
Propagation Delay — 4.5 ns (typ)
Rise Time (typ) — 19 ns
Fall Time (typ) — 19 ns
Output On-Resistance (pull-up) — 0.85 ohm
Output On-Resistance (pull-down) — 0.35 ohm
Input Logic — Inverting + Non-inverting
Temperatura de operação — -40 C to +150 C
Supported Switches — MOSFET (OptiMOS, CoolMOS), GaN HEMT

Fichas técnicas e recursos

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