IR2101STRPBF vs IRS2101STRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IR2101STRPBF por Infineon y IRS2101STRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IR2101STRPBF IRS2101STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,68 $1,18
Configuration Half-Bridge (High-Side and Low-Side), Independent —
Number of Drivers 2 2
Driver Type Non-Inverting High-Side, Low-Side (Half-Bridge)
Maximum Offset Voltage 600 V 600 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (Typ.) 210 mA —
Sink Current (Typ.) 360 mA —
Propagation Delay (Typ.) 160 ns —
Rise Time (Typ.) [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: fall time] —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V / 15 V CMOS/LSTTL 3.3 V / 5 V / 15 V
Bootstrap Diode Integrated —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Negative Transient Immunity on VS Yes (dV/dt immune) —
Encapsulado 8-SOIC (0.154 inch, 3.90 mm Width) 8-SOIC (SOIC-8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C -40C to +125C
Nivel MSL MSL 3 —
Estado RoHS Compliant Compliant (PBF suffix)
Número de salidas — 2-OUT
Configuración de salida — Non-Inverting
Gate Drive Supply (VCC) — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply (VBS) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.29 A
Sink Current (typical) — 0.6 A
VS Transient Range — -5 V to +600 V (logic operational)
Undervoltage Lockout — Yes (VCC and VBS)
Propagation Delay Matching — Matched both channels
dV/dt Immunity — Yes (latch-immune CMOS)
Packaging — Tape & Reel (TRPBF)
Technology — HVIC + latch-immune CMOS

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