IR2101STRPBF vs IRS2101STRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IR2101STRPBF tarafından Infineon ve IRS2101STRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IR2101STRPBF IRS2101STRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Configuration Half-Bridge (High-Side and Low-Side), Independent —
Number of Drivers 2 2
Driver Type Non-Inverting High-Side, Low-Side (Half-Bridge)
Maximum Offset Voltage 600 V 600 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (Typ.) 210 mA —
Sink Current (Typ.) 360 mA —
Propagation Delay (Typ.) 160 ns —
Rise Time (Typ.) [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: fall time] —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V / 15 V CMOS/LSTTL 3.3 V / 5 V / 15 V
Bootstrap Diode Integrated —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Negative Transient Immunity on VS Yes (dV/dt immune) —
Paket 8-SOIC (0.154 inch, 3.90 mm Width) 8-SOIC (SOIC-8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -40 C to +125 C -40C to +125C
MSL Seviyesi MSL 3 —
RoHS Durumu Compliant Compliant (PBF suffix)
Çıkış Sayısı — 2-OUT
Çıkış Konfigürasyonu — Non-Inverting
Gate Drive Supply (VCC) — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply (VBS) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.29 A
Sink Current (typical) — 0.6 A
VS Transient Range — -5 V to +600 V (logic operational)
Undervoltage Lockout — Yes (VCC and VBS)
Propagation Delay Matching — Matched both channels
dV/dt Immunity — Yes (latch-immune CMOS)
Packaging — Tape & Reel (TRPBF)
Technology — HVIC + latch-immune CMOS

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin