K4A4G085WE-BCRC vs K4A4G085WD-BCRC Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A4G085WE-BCRC por Samsung Electronics y K4A4G085WD-BCRC por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4A4G085WE-BCRC | K4A4G085WD-BCRC |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $1,36 | $3,58 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (D-die) |
| Density | 4 Gbit | — |
| Organización de memoria | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Velocidad de datos | 2400 Mbps | 2400 Mb/s (PC2400) |
| Clock Cycle Time (tCK) | 0.833 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Core Voltage (VPP) | 2.5 V | — |
| Encapsulado | FBGA-78 | FBGA-78 (TFBGA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Node Family | Samsung E-die | — |
| Interfaz | Parallel | Parallel |
| Bank Groups | 4n prefetch DDR4 architecture | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | 8n / 1X refresh (per JEDEC DDR4) | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Estado RoHS | Compliant (per LCSC listing) | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| Tensión de alimentación | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Access Mode | — | Multi-bank page burst |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |