K4A4G085WE-BCRC vs K4A4G085WD-BCRC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G085WE-BCRC par Samsung Electronics et K4A4G085WD-BCRC par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A4G085WE-BCRC | K4A4G085WD-BCRC |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,36 | $3,58 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (D-die) |
| Density | 4 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Débit de données | 2400 Mbps | 2400 Mb/s (PC2400) |
| Clock Cycle Time (tCK) | 0.833 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Core Voltage (VPP) | 2.5 V | — |
| Boîtier | FBGA-78 | FBGA-78 (TFBGA) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Node Family | Samsung E-die | — |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Bank Groups | 4n prefetch DDR4 architecture | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | 8n / 1X refresh (per JEDEC DDR4) | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Statut RoHS | Compliant (per LCSC listing) | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Access Mode | — | Multi-bank page burst |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Plage de température de fonctionnement | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |