K4A4G085WE-BCRC vs K4A4G085WD-BCRC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4A4G085WE-BCRC от Samsung Electronics и K4A4G085WD-BCRC от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx8 | Samsung
K4A4G085WD-BCRC ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K4A4G085WE-BCRC | K4A4G085WD-BCRC |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,36 | $3,58 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (D-die) |
| Density | 4 Gbit | — |
| Организация памяти | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Скорость передачи данных | 2400 Mbps | 2400 Mb/s (PC2400) |
| Clock Cycle Time (tCK) | 0.833 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Core Voltage (VPP) | 2.5 V | — |
| Корпус | FBGA-78 | FBGA-78 (TFBGA) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Node Family | Samsung E-die | — |
| Интерфейс | Parallel | Parallel |
| Bank Groups | 4n prefetch DDR4 architecture | — |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | 8n / 1X refresh (per JEDEC DDR4) | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Статус RoHS | Compliant (per LCSC listing) | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| Напряжение питания | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Access Mode | — | Multi-bank page burst |
| Задержка CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Диапазон рабочих температур | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |