K4A4G085WE-BCRC vs K4A4G085WD-BCRC Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A4G085WE-BCRC por Samsung Electronics e K4A4G085WD-BCRC por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4A4G085WE-BCRC | K4A4G085WD-BCRC |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,36 | $3,58 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (D-die) |
| Density | 4 Gbit | — |
| Organização da memória | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Taxa de dados | 2400 Mbps | 2400 Mb/s (PC2400) |
| Clock Cycle Time (tCK) | 0.833 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Core Voltage (VPP) | 2.5 V | — |
| Encapsulamento | FBGA-78 | FBGA-78 (TFBGA) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Node Family | Samsung E-die | — |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Bank Groups | 4n prefetch DDR4 architecture | — |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | 8n / 1X refresh (per JEDEC DDR4) | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Status RoHS | Compliant (per LCSC listing) | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| Tensão de alimentação | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Access Mode | — | Multi-bank page burst |
| Latência CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Faixa de temperatura de operação | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |