K4A4G085WE-BCRC vs K4A4G085WD-BCRC Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A4G085WE-BCRC von Samsung Electronics und K4A4G085WD-BCRC von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A4G085WE-BCRC | K4A4G085WD-BCRC |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $1,36 | $3,58 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (D-die) |
| Density | 4 Gbit | — |
| Speicherorganisation | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Datenrate | 2400 Mbps | 2400 Mb/s (PC2400) |
| Clock Cycle Time (tCK) | 0.833 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Core Voltage (VPP) | 2.5 V | — |
| Gehäuse | FBGA-78 | FBGA-78 (TFBGA) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Node Family | Samsung E-die | — |
| Schnittstelle | Parallel | Parallel |
| Bank Groups | 4n prefetch DDR4 architecture | — |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | 8n / 1X refresh (per JEDEC DDR4) | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| RoHS-Status | Compliant (per LCSC listing) | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| Versorgungsspannung | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Access Mode | — | Multi-bank page burst |
| CAS-Latenz | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Betriebstemperaturbereich | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |