K4A4G085WE-BCRC vs K4A4G085WD-BCRC 比較
詳細な並列比較: K4A4G085WE-BCRC メーカー: Samsung Electronics および K4A4G085WD-BCRC メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4A4G085WE-BCRC | K4A4G085WD-BCRC |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $1.36 | $3.58 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (D-die) |
| Density | 4 Gbit | — |
| メモリ構成 | 512M x 8 | 512M x 8 |
| データレート | 2400 Mbps | 2400 Mb/s (PC2400) |
| Clock Cycle Time (tCK) | 0.833 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Core Voltage (VPP) | 2.5 V | — |
| パッケージ | FBGA-78 | FBGA-78 (TFBGA) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Node Family | Samsung E-die | — |
| インターフェース | Parallel | Parallel |
| Bank Groups | 4n prefetch DDR4 architecture | — |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | 8n / 1X refresh (per JEDEC DDR4) | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |
| MSLレベル | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| RoHS ステータス | Compliant (per LCSC listing) | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| 電源電圧 | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Access Mode | — | Multi-bank page burst |
| CASレイテンシ | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| 動作温度範囲 | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |