K4B4G1646E-BYMA vs AS4C256M16D3L-12BCNTR Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646E-BYMA por Samsung Electronics y AS4C256M16D3L-12BCNTR por Alliance Memory. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCNTR - 4Gbit DDR3L SDRAM 96-FBGA | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCNTR ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646E-BYMA | AS4C256M16D3L-12BCNTR |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $14,32 | $6,00 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4 Gb | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tensión de alimentación | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.283V ~ 1.45V |
| Clock Frequency | 933 MHz | 800 MHz |
| Velocidad de datos | 1866 Mbps/pin | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| Encapsulado | FBGA-96 | 96-FBGA (9x13mm) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS | Compliant | — |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | — |
| Número de pines | 96 | — |
| Tamaño de memoria | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Interfaz | — | Parallel |
| Access Time | — | 20 ns |
| Ancho del bus de datos | — | 16 bit |
| Estado RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Corriente de alimentación | — | [DATA_NEEDED: Supply Current] |