K4B4G1646E-BYMA vs AS4C256M16D3L-12BCNTR Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646E-BYMA von Samsung Electronics und AS4C256M16D3L-12BCNTR von Alliance Memory. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCNTR - 4Gbit DDR3L SDRAM 96-FBGA | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCNTR ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646E-BYMA | AS4C256M16D3L-12BCNTR |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $14,32 | $6,00 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4 Gb | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Versorgungsspannung | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.283V ~ 1.45V |
| Clock Frequency | 933 MHz | 800 MHz |
| Datenrate | 1866 Mbps/pin | — |
| Betriebstemperatur | 0°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| Gehäuse | FBGA-96 | 96-FBGA (9x13mm) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS | Compliant | — |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | — |
| Anzahl der Pins | 96 | — |
| Speichergröße | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Schnittstelle | — | Parallel |
| Access Time | — | 20 ns |
| Datenbusbreite | — | 16 bit |
| RoHS-Status | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Versorgungsstrom | — | [DATA_NEEDED: Supply Current] |