K4B4G1646E-BYMA vs AS4C256M16D3L-12BCNTR 比較
詳細な並列比較: K4B4G1646E-BYMA メーカー: Samsung Electronics および AS4C256M16D3L-12BCNTR メーカー: Alliance Memory。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCNTR - 4Gbit DDR3L SDRAM 96-FBGA | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCNTR ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | K4B4G1646E-BYMA | AS4C256M16D3L-12BCNTR |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $14.32 | $6.00 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4 Gb | — |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 電源電圧 | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.283V ~ 1.45V |
| Clock Frequency | 933 MHz | 800 MHz |
| データレート | 1866 Mbps/pin | — |
| 動作温度 | 0°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| パッケージ | FBGA-96 | 96-FBGA (9x13mm) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS | Compliant | — |
| CASレイテンシ | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | — |
| ピン数 | 96 | — |
| メモリサイズ | — | 4Gbit (256M x 16) |
| インターフェース | — | Parallel |
| Access Time | — | 20 ns |
| データバス幅 | — | 16 bit |
| RoHS ステータス | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| 電源電流 | — | [DATA_NEEDED: Supply Current] |