K4B4G1646E-BYMA vs AS4C256M16D3L-12BCNTR Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4B4G1646E-BYMA от Samsung Electronics и AS4C256M16D3L-12BCNTR от Alliance Memory. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCNTR - 4Gbit DDR3L SDRAM 96-FBGA | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCNTR ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K4B4G1646E-BYMA | AS4C256M16D3L-12BCNTR |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $14,32 | $6,00 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4 Gb | — |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Напряжение питания | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.283V ~ 1.45V |
| Clock Frequency | 933 MHz | 800 MHz |
| Скорость передачи данных | 1866 Mbps/pin | — |
| Рабочая температура | 0°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| Корпус | FBGA-96 | 96-FBGA (9x13mm) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS | Compliant | — |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | — |
| Количество выводов | 96 | — |
| Размер памяти | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Интерфейс | — | Parallel |
| Access Time | — | 20 ns |
| Разрядность шины данных | — | 16 bit |
| Статус RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Ток потребления | — | [DATA_NEEDED: Supply Current] |