K4B4G1646E-BYMA vs AS4C256M16D3L-12BCNTR 对比
详细并排对比 K4B4G1646E-BYMA 出自 Samsung Electronics 和 AS4C256M16D3L-12BCNTR 出自 Alliance Memory。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况，以确定最适合您设计需求的元器件。
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCNTR - 4Gbit DDR3L SDRAM 96-FBGA | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCNTR ✓ 量产中规格对比
| 参数 | K4B4G1646E-BYMA | AS4C256M16D3L-12BCNTR |
|---|---|---|
| 品牌 | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| 分类 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命周期状态 | 有效 | 有效 |
| 库存状态 | 有库存 | 有库存 |
| 单价（USD） | $14.32 | $6.00 |
| 存储器类型 | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4 Gb | — |
| 存储组织 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 电源电压 | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.283V ~ 1.45V |
| Clock Frequency | 933 MHz | 800 MHz |
| 数据速率 | 1866 Mbps/pin | — |
| 工作温度 | 0°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| 封装 | FBGA-96 | 96-FBGA (9x13mm) |
| 安装类型 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS | Compliant | — |
| CAS 延迟 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | — |
| 引脚数 | 96 | — |
| 存储容量 | — | 4Gbit (256M x 16) |
| 接口 | — | Parallel |
| Access Time | — | 20 ns |
| 数据总线宽度 | — | 16 bit |
| RoHS 状态 | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| 电源电流 | — | [DATA_NEEDED: Supply Current] |