K4B4G1646E-BYMA vs AS4C256M16D3L-12BCNTR Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4B4G1646E-BYMA por Samsung Electronics e AS4C256M16D3L-12BCNTR por Alliance Memory. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
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AS4C256M16D3L-12BCNTR - 4Gbit DDR3L SDRAM 96-FBGA | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCNTR ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | K4B4G1646E-BYMA | AS4C256M16D3L-12BCNTR |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $14,32 | $6,00 |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4 Gb | — |
| Organização da memória | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tensão de alimentação | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.283V ~ 1.45V |
| Clock Frequency | 933 MHz | 800 MHz |
| Taxa de dados | 1866 Mbps/pin | — |
| Temperatura de operação | 0°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| Encapsulamento | FBGA-96 | 96-FBGA (9x13mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS | Compliant | — |
| Latência CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | — |
| Número de pinos | 96 | — |
| Tamanho da memória | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | 20 ns |
| Largura do barramento de dados | — | 16 bit |
| Status RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Corrente de alimentação | — | [DATA_NEEDED: Supply Current] |