K4B4G1646E-BYMA vs AS4C256M16D3L-12BCNTR Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646E-BYMA par Samsung Electronics et AS4C256M16D3L-12BCNTR par Alliance Memory. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCNTR - 4Gbit DDR3L SDRAM 96-FBGA | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCNTR ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646E-BYMA | AS4C256M16D3L-12BCNTR |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $14,32 | $6,00 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.283V ~ 1.45V |
| Clock Frequency | 933 MHz | 800 MHz |
| Débit de données | 1866 Mbps/pin | — |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| Boîtier | FBGA-96 | 96-FBGA (9x13mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS | Compliant | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | — |
| Nombre de broches | 96 | — |
| Taille de mémoire | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | 20 ns |
| Largeur du bus de données | — | 16 bit |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Courant d'alimentation | — | [DATA_NEEDED: Supply Current] |