NT6AN8T6WBJ1B1 vs NT6AN8T0SA Comparación
Comparación detallada lado a lado de NT6AN8T6WBJ1B1 por Nanya Technology y NT6AN8T0SA por Nanya Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | NT6AN8T6WBJ1B1 | NT6AN8T0SA |
|---|---|---|
| Marca | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $8,75 | $2,88 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | LPDDR2 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 8 Gb (512M x 16) | — |
| Velocidad de datos | 3200 MT/s | 1066 Mbps (533 MHz) |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Latencia CAS | 22 cycles | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | 4 or 8 |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | FBGA |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +95C (TC) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | Yes |
| Bank Groups | 4 groups of 4 banks | — |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 2Gb |
| Organización de memoria | — | 64M x 32 |
| I/O Voltage | — | 1.2V |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | -30°C to +85°C |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Lead-Free | — | Yes |
| Refresh Period | — | 64ms at 85°C |
| DLL | — | Yes |