NT6AN8T6WBJ1B1 vs NT6AN8T0SA Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT6AN8T6WBJ1B1 par Nanya Technology et NT6AN8T0SA par Nanya Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | NT6AN8T6WBJ1B1 | NT6AN8T0SA |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,75 | $2,88 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | LPDDR2 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gb (512M x 16) | — |
| Débit de données | 3200 MT/s | 1066 Mbps (533 MHz) |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Latence CAS | 22 cycles | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | 4 or 8 |
| Boîtier | 96-ball FBGA | FBGA |
| Température de fonctionnement | 0C to +95C (TC) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | Yes |
| Bank Groups | 4 groups of 4 banks | — |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 2Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 64M x 32 |
| I/O Voltage | — | 1.2V |
| Plage de température de fonctionnement | — | -30°C to +85°C |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Lead-Free | — | Yes |
| Refresh Period | — | 64ms at 85°C |
| DLL | — | Yes |