NT6AN8T6WBJ1B1 vs NT6AN8T0SA 比較
詳細な並列比較: NT6AN8T6WBJ1B1 メーカー: Nanya Technology および NT6AN8T0SA メーカー: Nanya Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | NT6AN8T6WBJ1B1 | NT6AN8T0SA |
|---|---|---|
| ブランド | Nanya Technology | Nanya Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $8.75 | $2.88 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | LPDDR2 SDRAM |
| メモリサイズ | 8 Gb (512M x 16) | — |
| データレート | 3200 MT/s | 1066 Mbps (533 MHz) |
| 電源電圧 | 1.2 V | 1.2V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| CASレイテンシ | 22 cycles | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | 4 or 8 |
| パッケージ | 96-ball FBGA | FBGA |
| 動作温度 | 0C to +95C (TC) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | Yes |
| Bank Groups | 4 groups of 4 banks | — |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Density | — | 2Gb |
| メモリ構成 | — | 64M x 32 |
| I/O Voltage | — | 1.2V |
| 動作温度範囲 | — | -30°C to +85°C |
| 実装タイプ | — | Surface Mount |
| Lead-Free | — | Yes |
| Refresh Period | — | 64ms at 85°C |
| DLL | — | Yes |