NT6AN8T6WBJ1B1 vs NT6AN8T0SA Comparação
Comparação detalhada lado a lado de NT6AN8T6WBJ1B1 por Nanya Technology e NT6AN8T0SA por Nanya Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | NT6AN8T6WBJ1B1 | NT6AN8T0SA |
|---|---|---|
| Marca | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $8,75 | $2,88 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | LPDDR2 SDRAM |
| Tamanho da memória | 8 Gb (512M x 16) | — |
| Taxa de dados | 3200 MT/s | 1066 Mbps (533 MHz) |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | 1.2V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Latência CAS | 22 cycles | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | 4 or 8 |
| Encapsulamento | 96-ball FBGA | FBGA |
| Temperatura de operação | 0C to +95C (TC) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | Yes |
| Bank Groups | 4 groups of 4 banks | — |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 2Gb |
| Organização da memória | — | 64M x 32 |
| I/O Voltage | — | 1.2V |
| Faixa de temperatura de operação | — | -30°C to +85°C |
| Tipo de montagem | — | Surface Mount |
| Lead-Free | — | Yes |
| Refresh Period | — | 64ms at 85°C |
| DLL | — | Yes |