NT6AN8T6WBJ1B1 vs NT6AN8T0SA Сравнение
Подробное сравнение бок о бок NT6AN8T6WBJ1B1 от Nanya Technology и NT6AN8T0SA от Nanya Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | NT6AN8T6WBJ1B1 | NT6AN8T0SA |
|---|---|---|
| Бренд | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $8,75 | $2,88 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | LPDDR2 SDRAM |
| Размер памяти | 8 Gb (512M x 16) | — |
| Скорость передачи данных | 3200 MT/s | 1066 Mbps (533 MHz) |
| Напряжение питания | 1.2 V | 1.2V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Задержка CAS | 22 cycles | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | 4 or 8 |
| Корпус | 96-ball FBGA | FBGA |
| Рабочая температура | 0C to +95C (TC) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | Yes |
| Bank Groups | 4 groups of 4 banks | — |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 2Gb |
| Организация памяти | — | 64M x 32 |
| I/O Voltage | — | 1.2V |
| Диапазон рабочих температур | — | -30°C to +85°C |
| Тип монтажа | — | Surface Mount |
| Lead-Free | — | Yes |
| Refresh Period | — | 64ms at 85°C |
| DLL | — | Yes |