NT6AN8T6WBJ1B1 vs NT6AN8T0SA Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von NT6AN8T6WBJ1B1 von Nanya Technology und NT6AN8T0SA von Nanya Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | NT6AN8T6WBJ1B1 | NT6AN8T0SA |
|---|---|---|
| Marke | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $8,75 | $2,88 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | LPDDR2 SDRAM |
| Speichergröße | 8 Gb (512M x 16) | — |
| Datenrate | 3200 MT/s | 1066 Mbps (533 MHz) |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| CAS-Latenz | 22 cycles | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | 4 or 8 |
| Gehäuse | 96-ball FBGA | FBGA |
| Betriebstemperatur | 0C to +95C (TC) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | Yes |
| Bank Groups | 4 groups of 4 banks | — |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Density | — | 2Gb |
| Speicherorganisation | — | 64M x 32 |
| I/O Voltage | — | 1.2V |
| Betriebstemperaturbereich | — | -30°C to +85°C |
| Montageart | — | Surface Mount |
| Lead-Free | — | Yes |
| Refresh Period | — | 64ms at 85°C |
| DLL | — | Yes |