PDRQL8KCBF12-00 vs K4RAH086VE-BCWM Comparación
Comparación detallada lado a lado de PDRQL8KCBF12-00 por Samsung Electronics y K4RAH086VE-BCWM por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | PDRQL8KCBF12-00 | K4RAH086VE-BCWM |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $18,00 | $7,60 |
| Tipo de memoria | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb |
| Organización de memoria | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Velocidad de datos | 7200 MT/s | 5600 Mbps |
| Tensión de alimentación | 1.1 V | — |
| Encapsulado | FBGA | 82-ball FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | 0C to +85C |
| Burst Length | 16 (BL16), burst chop 8 (BC8) | — |
| On-die ECC | Yes | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| Interfaz | Pseudo-differential DQ | — |
| Process Technology | 10nm-class | — |
| Estado RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| Generation | — | DDR5 |
| Bank Groups | — | [DATA_NEEDED: bank group count] |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CL at 5600 Mbps] |
| VDDQ Voltage | — | [DATA_NEEDED: VDDQ value] |
| Estado del ciclo de vida | — | Mass Production |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |