PDRQL8KCBF12-00 vs K4RAH086VE-BCWM Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de PDRQL8KCBF12-00 par Samsung Electronics et K4RAH086VE-BCWM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | PDRQL8KCBF12-00 | K4RAH086VE-BCWM |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $18,00 | $7,60 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb |
| Organisation de la mémoire | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Débit de données | 7200 MT/s | 5600 Mbps |
| Tension d'alimentation | 1.1 V | — |
| Boîtier | FBGA | 82-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | 0C to +85C |
| Burst Length | 16 (BL16), burst chop 8 (BC8) | — |
| On-die ECC | Yes | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| Interface | Pseudo-differential DQ | — |
| Process Technology | 10nm-class | — |
| Statut RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| Generation | — | DDR5 |
| Bank Groups | — | [DATA_NEEDED: bank group count] |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CL at 5600 Mbps] |
| VDDQ Voltage | — | [DATA_NEEDED: VDDQ value] |
| Statut du cycle de vie | — | Mass Production |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |