PDRQL8KCBF12-00 vs K4RAH086VE-BCWM 比較
詳細な並列比較: PDRQL8KCBF12-00 メーカー: Samsung Electronics および K4RAH086VE-BCWM メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | PDRQL8KCBF12-00 | K4RAH086VE-BCWM |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $18.00 | $7.60 |
| メモリタイプ | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb |
| メモリ構成 | 2G x 8 | 2G x 8 |
| データレート | 7200 MT/s | 5600 Mbps |
| 電源電圧 | 1.1 V | — |
| パッケージ | FBGA | 82-ball FBGA |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | 0C to +85C |
| Burst Length | 16 (BL16), burst chop 8 (BC8) | — |
| On-die ECC | Yes | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| インターフェース | Pseudo-differential DQ | — |
| Process Technology | 10nm-class | — |
| RoHS ステータス | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| Generation | — | DDR5 |
| Bank Groups | — | [DATA_NEEDED: bank group count] |
| CASレイテンシ | — | [DATA_NEEDED: CL at 5600 Mbps] |
| VDDQ Voltage | — | [DATA_NEEDED: VDDQ value] |
| ライフサイクル状態 | — | Mass Production |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |