PDRQL8KCBF12-00 vs K4RAH086VE-BCWM Comparação
Comparação detalhada lado a lado de PDRQL8KCBF12-00 por Samsung Electronics e K4RAH086VE-BCWM por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | PDRQL8KCBF12-00 | K4RAH086VE-BCWM |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $18,00 | $7,60 |
| Tipo de memória | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb |
| Organização da memória | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Taxa de dados | 7200 MT/s | 5600 Mbps |
| Tensão de alimentação | 1.1 V | — |
| Encapsulamento | FBGA | 82-ball FBGA |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | 0C to +85C |
| Burst Length | 16 (BL16), burst chop 8 (BC8) | — |
| On-die ECC | Yes | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| Interface | Pseudo-differential DQ | — |
| Process Technology | 10nm-class | — |
| Status RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| Generation | — | DDR5 |
| Bank Groups | — | [DATA_NEEDED: bank group count] |
| Latência CAS | — | [DATA_NEEDED: CL at 5600 Mbps] |
| VDDQ Voltage | — | [DATA_NEEDED: VDDQ value] |
| Status do ciclo de vida | — | Mass Production |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |