PDRQL8KCBF12-00 vs K4RAH086VE-BCWM Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von PDRQL8KCBF12-00 von Samsung Electronics und K4RAH086VE-BCWM von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | PDRQL8KCBF12-00 | K4RAH086VE-BCWM |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $18,00 | $7,60 |
| Speichertyp | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb |
| Speicherorganisation | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Datenrate | 7200 MT/s | 5600 Mbps |
| Versorgungsspannung | 1.1 V | — |
| Gehäuse | FBGA | 82-ball FBGA |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | 0C to +85C |
| Burst Length | 16 (BL16), burst chop 8 (BC8) | — |
| On-die ECC | Yes | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| Schnittstelle | Pseudo-differential DQ | — |
| Process Technology | 10nm-class | — |
| RoHS-Status | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| Generation | — | DDR5 |
| Bank Groups | — | [DATA_NEEDED: bank group count] |
| CAS-Latenz | — | [DATA_NEEDED: CL at 5600 Mbps] |
| VDDQ Voltage | — | [DATA_NEEDED: VDDQ value] |
| Lebenszyklusstatus | — | Mass Production |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |