PDRQL8KCBF12-00 vs K4RAH086VE-BCWM 비교
다음의 상세 나란히 비교: PDRQL8KCBF12-00 제조: Samsung Electronics 및 K4RAH086VE-BCWM 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | PDRQL8KCBF12-00 | K4RAH086VE-BCWM |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $18.00 | $7.60 |
| 메모리 유형 | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb |
| 메모리 구성 | 2G x 8 | 2G x 8 |
| 데이터 속도 | 7200 MT/s | 5600 Mbps |
| 공급 전압 | 1.1 V | — |
| 패키지 | FBGA | 82-ball FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | 0C to +85C |
| Burst Length | 16 (BL16), burst chop 8 (BC8) | — |
| On-die ECC | Yes | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| 인터페이스 | Pseudo-differential DQ | — |
| Process Technology | 10nm-class | — |
| RoHS 상태 | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| Generation | — | DDR5 |
| Bank Groups | — | [DATA_NEEDED: bank group count] |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CL at 5600 Mbps] |
| VDDQ Voltage | — | [DATA_NEEDED: VDDQ value] |
| 수명 주기 상태 | — | Mass Production |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |