W634GU6RB09J vs NT6AN8T6WBJ1B1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de W634GU6RB09J por Winbond y NT6AN8T6WBJ1B1 por Nanya Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | W634GU6RB09J | NT6AN8T6WBJ1B1 |
|---|---|---|
| Marca | Winbond | Nanya Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $8,10 | $8,75 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4Gbit (256M x 16) | 8 Gb (512M x 16) |
| Velocidad de datos | 1066 MHz (DDR3L-2133) | 3200 MT/s |
| Tensión de alimentación | 1.35V | 1.2 V |
| Latencia CAS | 20 ns | 22 cycles |
| Encapsulado | 96-VFBGA (7.5x13mm) | 96-ball FBGA |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C (Tc) | 0C to +95C (TC) |
| Interfaz | Parallel | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Sin halógenos | Yes | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | — |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Número de pines | 96 | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| Bank Groups | — | 4 groups of 4 banks |
| Row Address | — | 16 bits |
| Column Address | — | 10 bits |