W634GU6RB09J vs NT6AN8T6WBJ1B1 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von W634GU6RB09J von Winbond und NT6AN8T6WBJ1B1 von Nanya Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | W634GU6RB09J | NT6AN8T6WBJ1B1 |
|---|---|---|
| Marke | Winbond | Nanya Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $8,10 | $8,75 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 4Gbit (256M x 16) | 8 Gb (512M x 16) |
| Datenrate | 1066 MHz (DDR3L-2133) | 3200 MT/s |
| Versorgungsspannung | 1.35V | 1.2 V |
| CAS-Latenz | 20 ns | 22 cycles |
| Gehäuse | 96-VFBGA (7.5x13mm) | 96-ball FBGA |
| Betriebstemperatur | 0°C to +95°C (Tc) | 0C to +95C (TC) |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Montageart | Surface Mount | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Halogenfrei | Yes | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | — |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Anzahl der Pins | 96 | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| Bank Groups | — | 4 groups of 4 banks |
| Row Address | — | 16 bits |
| Column Address | — | 10 bits |