W634GU6RB09J vs NT6AN8T6WBJ1B1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок W634GU6RB09J от Winbond и NT6AN8T6WBJ1B1 от Nanya Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | W634GU6RB09J | NT6AN8T6WBJ1B1 |
|---|---|---|
| Бренд | Winbond | Nanya Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $8,10 | $8,75 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Размер памяти | 4Gbit (256M x 16) | 8 Gb (512M x 16) |
| Скорость передачи данных | 1066 MHz (DDR3L-2133) | 3200 MT/s |
| Напряжение питания | 1.35V | 1.2 V |
| Задержка CAS | 20 ns | 22 cycles |
| Корпус | 96-VFBGA (7.5x13mm) | 96-ball FBGA |
| Рабочая температура | 0°C to +95°C (Tc) | 0C to +95C (TC) |
| Интерфейс | Parallel | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Без галогенов | Yes | — |
| Организация памяти | 256M x 16 | — |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Количество выводов | 96 | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| Bank Groups | — | 4 groups of 4 banks |
| Row Address | — | 16 bits |
| Column Address | — | 10 bits |