W634GU6RB09J vs NT6AN8T6WBJ1B1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de W634GU6RB09J par Winbond et NT6AN8T6WBJ1B1 par Nanya Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | W634GU6RB09J | NT6AN8T6WBJ1B1 |
|---|---|---|
| Marque | Winbond | Nanya Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,10 | $8,75 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 4Gbit (256M x 16) | 8 Gb (512M x 16) |
| Débit de données | 1066 MHz (DDR3L-2133) | 3200 MT/s |
| Tension d'alimentation | 1.35V | 1.2 V |
| Latence CAS | 20 ns | 22 cycles |
| Boîtier | 96-VFBGA (7.5x13mm) | 96-ball FBGA |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C (Tc) | 0C to +95C (TC) |
| Interface | Parallel | — |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Sans halogène | Yes | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | — |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Nombre de broches | 96 | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| Bank Groups | — | 4 groups of 4 banks |
| Row Address | — | 16 bits |
| Column Address | — | 10 bits |