W634GU6RB09J vs NT6AN8T6WBJ1B1 对比
详细并排对比 W634GU6RB09J 出自 Winbond 和 NT6AN8T6WBJ1B1 出自 Nanya Technology。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况，以确定最适合您设计需求的元器件。
规格对比
| 参数 | W634GU6RB09J | NT6AN8T6WBJ1B1 |
|---|---|---|
| 品牌 | Winbond | Nanya Technology |
| 分类 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命周期状态 | 有效 | 有效 |
| 库存状态 | 有库存 | 有库存 |
| 单价（USD） | $8.10 | $8.75 |
| 存储器类型 | DDR3L SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 存储容量 | 4Gbit (256M x 16) | 8 Gb (512M x 16) |
| 数据速率 | 1066 MHz (DDR3L-2133) | 3200 MT/s |
| 电源电压 | 1.35V | 1.2 V |
| CAS 延迟 | 20 ns | 22 cycles |
| 封装 | 96-VFBGA (7.5x13mm) | 96-ball FBGA |
| 工作温度 | 0°C to +95°C (Tc) | 0C to +95C (TC) |
| 接口 | Parallel | — |
| 安装类型 | Surface Mount | — |
| RoHS 状态 | Compliant | Compliant |
| 无卤 | Yes | — |
| 存储组织 | 256M x 16 | — |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| 引脚数 | 96 | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| Bank Groups | — | 4 groups of 4 banks |
| Row Address | — | 16 bits |
| Column Address | — | 10 bits |