W634GU6RB09J vs NT6AN8T6WBJ1B1 비교
다음의 상세 나란히 비교: W634GU6RB09J 제조: Winbond 및 NT6AN8T6WBJ1B1 제조: Nanya Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | W634GU6RB09J | NT6AN8T6WBJ1B1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Winbond | Nanya Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $8.10 | $8.75 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 4Gbit (256M x 16) | 8 Gb (512M x 16) |
| 데이터 속도 | 1066 MHz (DDR3L-2133) | 3200 MT/s |
| 공급 전압 | 1.35V | 1.2 V |
| CAS 레이턴시 | 20 ns | 22 cycles |
| 패키지 | 96-VFBGA (7.5x13mm) | 96-ball FBGA |
| 동작 온도 | 0°C to +95°C (Tc) | 0C to +95C (TC) |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | — |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| 핀 수 | 96 | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| Bank Groups | — | 4 groups of 4 banks |
| Row Address | — | 16 bits |
| Column Address | — | 10 bits |