W634GU6RB09J vs NT6AN8T6WBJ1B1 比較
詳細な並列比較: W634GU6RB09J メーカー: Winbond および NT6AN8T6WBJ1B1 メーカー: Nanya Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | W634GU6RB09J | NT6AN8T6WBJ1B1 |
|---|---|---|
| ブランド | Winbond | Nanya Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $8.10 | $8.75 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | DDR4 SDRAM |
| メモリサイズ | 4Gbit (256M x 16) | 8 Gb (512M x 16) |
| データレート | 1066 MHz (DDR3L-2133) | 3200 MT/s |
| 電源電圧 | 1.35V | 1.2 V |
| CASレイテンシ | 20 ns | 22 cycles |
| パッケージ | 96-VFBGA (7.5x13mm) | 96-ball FBGA |
| 動作温度 | 0°C to +95°C (Tc) | 0C to +95C (TC) |
| インターフェース | Parallel | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| ハロゲンフリー | Yes | — |
| メモリ構成 | 256M x 16 | — |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| ピン数 | 96 | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| Bank Groups | — | 4 groups of 4 banks |
| Row Address | — | 16 bits |
| Column Address | — | 10 bits |