BSP295H6327XTSA1 vs BSR315PH6327XTSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSP295H6327XTSA1 توسط Infineon و BSR315PH6327XTSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 - 60V 1.8A N-Ch MOSFET SOT-223 | Infineon

BSP295H6327XTSA1 - 60V 1.8A N-Ch MOSFET SOT-223 | Infineon

BSP295H6327XTSA1 ✓ فعال
Infineon
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 - 60V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSR315PH6327XTSA1 - 60V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSR315PH6327XTSA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSP295H6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25 °C 1.8 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25 °C 1.8 W —
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max 300 mΩ —
بسته‌بندی PG-SOT223-4 (3 leads + tab) PG-SC59-3 / SOT-23-3
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -55 °C to +150 °C -55 C to +150 C (TJ)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] ±20 V (max VGS)
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Tape and Reel Packing Code H6327 (7-inch reel) —
Channel Mode Enhancement —
Technology Planar N-channel MOSFET —
Drain Tab Connection Pin 4 (tab) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSR315PH6327XTSA1
Series — OptiMOS P-Channel
FET Type — P-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — -60 V
Continuous Drain Current (ID) — -620 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) — 800 mOhm @ -620 mA, -10 V
Input Capacitance (Ciss) — 176 pF @ 25 V
Total Gate Charge (Qg) — 6 nC @ 10 V
تعداد پایه — 3
Packaging — Tape & Reel (TR)
Automotive Qualified — Yes (per Infineon product family marking)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت