BSP295H6327XTSA1 vs BSR315PH6327XTSA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSP295H6327XTSA1 מאת Infineon ו BSR315PH6327XTSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSP295H6327XTSA1 | BSR315PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25 °C | 1.8 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25 °C | 1.8 W | — |
| Drain-Source On-Resistance RDS(on) max | 300 mΩ | — |
| מארז | PG-SOT223-4 (3 leads + tab) | PG-SC59-3 / SOT-23-3 |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 °C to +150 °C | -55 C to +150 C (TJ) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | ±20 V (max VGS) |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Tape and Reel Packing Code | H6327 (7-inch reel) | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Technology | Planar N-channel MOSFET | — |
| Drain Tab Connection | Pin 4 (tab) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSR315PH6327XTSA1 |
| Series | — | OptiMOS P-Channel |
| FET Type | — | P-Channel, Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | -620 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 500 mW (Ta) |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 800 mOhm @ -620 mA, -10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 176 pF @ 25 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 6 nC @ 10 V |
| מספר פינים | — | 3 |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |
| Automotive Qualified | — | Yes (per Infineon product family marking) |