BSS123IXTSA1 vs 2N7002L مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSS123IXTSA1 توسط Infineon و 2N7002L توسط onsemi. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر BSS123IXTSA1 2N7002L
برند Infineon onsemi
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Technology OptiMOS Small-Signal High cell density trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 190 mA —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 500 mW —
RDS(on) (typical, VGS=10 V) 2.4 ohm —
RDS(on) (max per family datasheet) 6 ohm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] 1 V to 2.5 V
بسته‌بندی PG-SOT-23-3 (SOT-23-3) SOT-23 (SOT-23-3)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -55C to +150C (per family datasheet) —
Qualification Industrial —
Configuration Single N-Channel Single FET
Lead-Free / RoHS Yes (per distributor listing) —
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Gate Drive Logic Level Logic-level compatible —
Continuous Drain Current (ID) — 115 mA (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) — 7.5 ohm max at VGS = 5V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Power Dissipation (PD) — 200 mW (Ta), 225 mW max
Switching Performance — Fast switching, rugged and reliable
Gate Drive — 5V logic-level enhancement mode
Typical Applications — Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting
Manufacturer — onsemi
وضعیت RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت