BSS123IXTSA1 vs 2N7002L موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSS123IXTSA1 بذریعہ Infineon اور 2N7002L بذریعہ onsemi. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSS123IXTSA1 2N7002L
برانڈ Infineon onsemi
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Technology OptiMOS Small-Signal High cell density trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 190 mA —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 500 mW —
RDS(on) (typical, VGS=10 V) 2.4 ohm —
RDS(on) (max per family datasheet) 6 ohm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] 1 V to 2.5 V
پیکیج PG-SOT-23-3 (SOT-23-3) SOT-23 (SOT-23-3)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (per family datasheet) —
Qualification Industrial —
Configuration Single N-Channel Single FET
Lead-Free / RoHS Yes (per distributor listing) —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Gate Drive Logic Level Logic-level compatible —
Continuous Drain Current (ID) — 115 mA (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) — 7.5 ohm max at VGS = 5V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Power Dissipation (PD) — 200 mW (Ta), 225 mW max
Switching Performance — Fast switching, rugged and reliable
Gate Drive — 5V logic-level enhancement mode
Typical Applications — Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting
Manufacturer — onsemi
RoHS اسٹیٹس — [DATA_NEEDED: RoHS status]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں