CY14V104LA vs CY14V104LA-BA45XIT مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار CY14V104LA توسط Infineon و CY14V104LA-BA45XIT توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر CY14V104LA CY14V104LA-BA45XIT
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Memory ICs EEPROM
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Density 4 Mbit (512 K x 8 / 256 K x 16) 4096 kbits
نوع حافظه Non-Volatile SRAM (nvSRAM) nvSRAM (Non-Volatile SRAM)
Operating Voltage 3.3 V (3.0 V min, 3.6 V max) —
Access Time 25 ns (BA25) or 45 ns (BA45) 45 ns
رابط Parallel (asynchronous SRAM-compatible) Parallel
Bus Width x8 / x16 selectable (BYTE pin) —
بسته‌بندی 48-FBGA (6 x 10 x 1.20 mm) 48-FBGA (6 x 10 mm, 1.20 mm height)
دمای کاری -40 C to +85 C (industrial) -40C to +85C
STORE Time (typical) [DATA_NEEDED: STORE time in ms] —
RECALL Time (typical) [DATA_NEEDED: RECALL time in ms] —
Active Supply Current (Icc) [DATA_NEEDED: Icc active mA] —
Standby Current (Isb) [DATA_NEEDED: Isb uA] —
Hardware STORE Pin HSB (active low) —
Auto STORE on VCC Drop Yes (integrated VCc monitor) —
Read/Write Endurance Unlimited (SRAM side) Unlimited (SRAM mode)
Data Retention [DATA_NEEDED: retention years] —
وضعیت RoHS Compliant RoHS Compliant
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
اندازه حافظه — 4 Mbit
سازمان — 512K x 8
Supply Voltage Range — 3 V (min VCC 2.7 V typical class, max 3.6 V)
Max Operating Voltage — 3.6 V
Automotive Qualified — No (industrial grade)
Memory Category — NVRAM, NVSRAM, SRAM Chip
Number of Words — 128 k
Bits per Word — 8 bits
Packaging — Tape & Reel (T/R)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت